湖北成立300億集成電路產業投資基金
湖北成立300億集成電路產業投資基金 重點投資芯片制造
本報記者 陳紅霞 郝馳武漢、北京報道
繼國傢集成電路大基金設立之後，地方性專項產業基金也紛紛加快設立。
8月6日，21世紀經濟報道記者從武漢東湖高新開發區獲悉，湖北省成立瞭一隻以湖北省、武漢市和東湖高新區三級財政資金為引導的集成電路產業基金，總規模不低於300億元。而其投資重點則是集成電路芯片制造業，兼顧設計、封測等上下遊產業鏈。
與此同時，在湖北范圍內規模最大的行業龍頭企業武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”)方面也透露，公司自主研發的第二代背照式影像傳感器已按計劃推進，3D NAND技術研發中，第一個具有9層結構的存儲測試芯片已通過存儲器功能的電學驗證。
300億基金促產業發展
武漢高新區方面透露，湖北集成電路產業投資基金由武漢經濟發展投資(集團)有限公司發起設立，湖北省科技投資集團公司等多傢公司參與，除瞭三級政府財政資金引導外，該基金還吸引瞭社會資金參與。
根據規劃，該基金總規模不低於300億元，計劃打造高新技術的股權基金和金融服務平臺，將通過設立子基金和專項金融服務平臺，對接海內外資本市場。
“除瞭湖北外，上海也早已成立瞭規模達到100億元的產業投資基金，全國范圍內，包括長三角、珠三角和中三角形成三足鼎立的局面。”一位行業分析師指出，其中，湖北起步雖然較晚，但增速很快，目前包括封測、生產和研發企業均有佈局，產業鏈條比較完整，產業基金設立後，省內一些重點企業和重點項目將最先受益。
而東湖高新區方面也透露，該基金將重點支持國傢重點項目發展，目前，該基金已儲備集成電路領域大型項目20餘個，正積極和國傢集成電路基金、國開金融等多傢金融機構探討實質性戰略合作，未來將通過並購和海內外資本運作，快速推動產業發展。
而在有望受益的當地企業中，作為“集成電路國汽車轉增貸高額度免保人傢隊”的武漢新芯最受關註。車貸信貸台南楠西車貸信貸
公開資料顯示，武漢新芯於2006年4月註冊成立，註冊資本24.59億元，屬於武漢市東湖開發區政府旗下的全資子公司。在成立初期，其隻是一傢沒有獨立運營能力的生產型工廠。
直到2012年，東湖開發區引入新管理團隊，重新構建武漢新芯的架構。擔任“重建”任務的是現任執行長楊士寧。
“楊士寧到任時的武漢新芯，除具備生產能力外，在人力資源、財務、銷售、研發等各個領域都是空白。”一位接近公司人士指出，尤其是在集成電路行業，諸多管控設備都依靠進口，根據國際條約，使用管控進口設備的企業必須保證設備用於民用而不做軍用生產，所有的管控設備進口企業必須有專人負責與設備出口國的相關政府部門進行申報進口許可，履行許可條約，但即便是這一關鍵崗位，當時的武漢新芯也是空缺的。
因此，新團隊組建成為楊士寧當時著手的第一件事情，武漢新芯引進瞭國際知名的行業內的海歸人員及部分外國專傢，同時吸納瞭一批中芯國際在武漢工作的骨幹人員，搭建起武漢新芯最初的管理團隊。
加快技術追趕步伐
不過，此時的中國集成電路產業仍遠遠落後於美國、韓國等國際巨頭企業。“在當時的中國市場，已先後出現瞭多傢集成電路企業，這些企業遍佈在封測、生產及研發等領域，初步構成中國集成電路產業鏈條。”另一位不願具名的行業分析師也指出。這些從業企業大都集中在封測環節，生產和研發企業少之又少，中國企業芯片生產企業在市場的份額也極低。
中國企業如何實現突破？此前，在一場行業內部宣講會上，楊士寧也曾總結，集成電路行業是一個高速發展的行業，其特點是人才、資金和技術密集。
“集成電路行業的發展需要兼備所有上述特點，所以，中國從業企業即便在技術研發或其他領域加大投入，卻總是追趕不上國際同行，甚至差距越拉越大。”上述分析師指出，即便在當下，國傢已出臺關於集成電路方面的政策，並通過設立產業基金的形式進行大手筆的資金扶持，但僅有這些並不意味著與國際集成電路產業水平的差距就能快速縮小。
如何破局？武漢新芯的做法則是在一些同業鮮少涉足的領域進行突破。自2012年起，武漢新芯與國際合作夥伴合作開發背照式圖像處理器，經過一年的研發期後達到量產，月出貨量達到1萬多片，目前總出貨量已突破1億顆。2014年，公司對這一技術進行升級，進行第二代技術的研發，上述人士透露，“新一代技術的研發進展順利，而其成果將可被應用到物聯網市場。”
此外，2014年起，武漢新芯與Cypress(原美國Spansion公司)合作展開研發3D NAND，部分核心技術武漢新芯將擁有自主的知識產權。
何為3D NAND？即下一代大容量半導體閃存技術，“就是利用現有成熟的生產設備，通過在矽片的表面垂直疊加幾十層甚至更多層的電荷存儲層，來提高單顆芯片的存儲密度，增加存儲容量。”上述分析師解釋，國際上從事這一技術研究的企業僅有四傢，其中真正實現量產的隻有韓國三星[微博]公司。
在這一技術方面，武漢新芯的第一個具有9層結構的存儲測試芯片已通過存儲器功能的電學驗證。上述分析師指出，“目前三星公司的3D NAND產品已具有32層結構，其正在開發64層結構的產品。武漢新芯的3D NAND還沒進入量產階段，但對比其他同行，其技術研發進展已相對領先。”
新聞來源http://finance.sina.com.cn/china/dfjj/20150807/023422899718.shtml
全站熱搜
留言列表
